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SiC-SBD市場

SiC-SBD 市場規模、シェア、トレンド分析レポート - タイプ別 (600V、1200V)、アプリケーション別 (新エネルギー車、電源、太陽光発電、民生用電子機器、産業用)、地域別予測 2023-2031

市場概要

世界の SiC-SBD 市場規模は、予測期間中に約 14.2% の CAGRで成長すると予測されています。

ショットキーバリアダイオード (SBD) とショットキーバリアダイオード (SiC) は同じものです。半導体デバイスの例としては、パワーエレクトロニクス、代替エネルギー、電気自動車、航空宇宙、防衛など、さまざまな分野で利用されている SiC-SBD (シリコンカーバイドショットキーバリアダイオード) があります。従来のシリコンベースのデバイスと比較すると、SiC-SBD には、効率性の向上、スイッチングの高速化、温度および電圧の性能の向上など、さまざまな利点があります。

SiC-SBD市場 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026 2028 2029 2030 2031 $XX.X Million $XX.X Million CAGR 14.2% 歴史的な年 予想年数
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市場の動向

市場の推進要因

電気自動車の採用増加: SiC-SBD 市場を推進する主な要因の 1 つは、電気自動車の使用増加です。DC-DC コンバータやオンボード充電器などの電気自動車のパワー エレクトロニクスでは、SiC-SBD を使用して効率とパフォーマンスを向上させています。

高効率: SiC-SBD は従来のシリコンベースの電子機器よりも効率的です。SiC-SBD はスイッチング速度が速く、順方向過電圧が低いため、電力損失が少なく、エネルギー消費量が多くなります。

市場の制約

  • SiCウェハーの製造に関する課題

SiC ウェハーとして知られる半導体材料は、優れた電気的特性と熱的特性を備えています。優れた展示用半導体は、幅広い用途に適しています。硬度と耐熱性が非常に高いのが特徴です。SiC ウェハーの製造業者は、製造プロセス中に数多くの課題に直面しています。結晶の積層欠陥、マイクロパイプ、ピット、傷、汚れ、表面粒子は、SiC 基板の製造プロセス中に発生する可能性のある最も一般的な欠陥です。

  • 高価格

従来のシリコンベースのデバイスと比較すると、SiC-SBD は高価です。これは、特にコストが重要な考慮事項となるアプリケーションでは、大きな障壁となる可能性があります。

市場機会

電気自動車はますます普及しています。世界は急速に変化しており、再生可能エネルギーへと向かっています。あらゆる分野、市場関係者、政府機関が、電気自動車の基盤を構築し、電気自動車への関心を高めるために、より明確な考えを持っています。

SiC-SBD を航空宇宙および防衛アプリケーションで使用することは、もう 1 つの大きな市場機会です。SiC-SBD は高温および高電力特性を備えているため、これらのアプリケーションに最適です。

SiC-SBD デバイスの技術開発は、多くの業界で新たな展望を切り開いています。たとえば、パワーエレクトロニクス分野では、電圧と電流定格が向上した SiC-SBD の開発により、新たな展望が開かれています。

市場範囲

レポート指標 詳細
2031年までの市場規模 USD XX Million/Billion
2023年の市場規模 USD XX Million/Billion
2022年の市場規模 USD XX Million/Billion
過去のデータ 2020-2022
基準年 2022
予想期間 2024-2032
レポート範囲 売上高予測、競合環境、成長要因、環境・規制情勢と動向
対象セグメント
  1. タイプ別セグメント
    1. 600V
    2. 1200V
  2. アプリケーション別セグメント
    1. 新エネルギー車
    2. 電源装置
    3. 太陽光発電
    4. 家電
    5. 産業
企業プロフィール
  1. Infineon
  2. Mitsubishi Electric
  3. STMicroelectronic
  4. Fuji Electric
  5. Toshiba
  6. ON Semiconductor
  7. Vishay Intertechnology
  8. Wolfspeed (Cree)
  9. ROHM Semiconductor
  10. Microsemi
  11. United Silicon Carbide Inc.
  12. GeneSic
  13. Global Power Technology
  14. BASiC
  15. Yangzhou Yangjie Electronic Technology
  16. InventChip

セグメント分析

タイプ別セグメント

  • 600V

これらのコンポーネントは、パワーエレクトロニクスデバイス、スイッチングモード電源、力率補正回路などの低~中電力アプリケーションで頻繁に使用されます。優れたスイッチング効率と最小限のスイッチング損失を備えているため、これらのアプリケーションに最適です。

  • 1200V

これらのガジェットは、モーター ドライブ、電気自動車のパワー エレクトロニクス、再生可能エネルギー システムなどの高出力アプリケーションで頻繁に使用されます。これらのガジェットは、高い破壊強度と低いオン状態抵抗を備えているため、これらのアプリケーションに最適です。

アプリケーション別セグメント

  • 新エネルギー車

高温耐性、低電力損失、高速スイッチング速度により、SiC-SBD は、新エネルギー輸送部門の一部である電気自動車での使用に最適です。バッテリー充電器、DC-DC コンバータ、オンボード充電器など、SiC-SBD が使用されている場所は数多くあります。

  • 電源装置

データ センター、通信基地局、ビデオ ゲーム コンソールは、SiC-SBD を使用した電源を採用している産業用および消費者向けアプリケーションのほんの一部です。通常のダイオードと比較すると、SiC-SBD は効率が高く、発熱量も少なくなります。

  • 太陽光発電

太陽エネルギーを使用可能な電気に変換する太陽光発電インバーターでは、SiC-SBD が使用されています。SiC-SBD は高周波でスイッチングでき、極端な温度にも耐えられるため、厳しい環境でも役立ちます。

  • 家電

SiC-SBD は、整流器や電圧レギュレータとして、さまざまなポータブル電子機器に使用されています。電力損失が少なく、効率性に優れているため、バッテリーの寿命が長くなります。

  • 産業

モーター ドライブ、溶接装置、電源は、SiC-SBD の多くの産業用途のほんの一部です。SiC-SBD は電力損失が少なく、スイッチング周波数が高いため、効率が高く、発熱も少なくなります。

地域分析

世界の SiC-SBD 市場は、北米、ヨーロッパ、アジア太平洋、ラテンアメリカ、中東およびアフリカの地域別に分割されています。

SiCベースのパワーエレクトロニクスデバイスは、再生可能エネルギー、電気自動車、産業オートメーションなどの分野でますます普及しており、北米市場は急速に拡大すると予想されています。北米市場は主に米国とカナダによって牽引されています

輸送、航空宇宙、軍事など幅広い分野でエネルギー効率の高いデバイスに対する世界的な需要が高まっているため、ヨーロッパは SiC-SBD の重要な市場として浮上しています。この分野では、電源、インバータ、モーター ドライブの使用が増加しています。ヨーロッパの市場は、主にドイツ、フランス、イギリスなどの国によって牽引されています。

中国、インド、日本などの発展途上国における SiC-SBD の需要の高まりは、アジア太平洋市場の拡大にとって良い兆しです。この地域では、民生用電子機器、産業オートメーション、電気自動車などの用途が急速に拡大しています。この地域の市場は主に中国、日本、韓国によって牽引されています。

中東およびアフリカ全域のインフラおよび再生可能エネルギー プロジェクトへの投資は、この地域の緩やかな経済成長を支えると予測されています。太陽光インバータや風力発電システムなどのアプリケーションは、この地域で急速に拡大しています。この地域の市場における主要なプレーヤーには、サウジアラビア、アラブ首長国連邦、南アフリカなどがあります。

パワーエレクトロニクスや民生用電子機器などの分野で SiC-SBD の需要が高まっており、ラテンアメリカ市場の緩やかな発展が促進される見込みです。この地域の市場は主にブラジルやメキシコなどの国によって牽引されています。

SiC-SBD市場 Regional Analysis
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主要人物

  1. インフィニオン
  2. 三菱電機
  3. STマイクロエレクトロニクス
  4. 富士電機
  5. 東芝
  6. オン・セミコンダクター
  7. ビシェイ・インターテクノロジー
  8. ウルフスピード(クリー)
  9. ロームセミコンダクタ
  10. マイクロセミ
  11. ユナイテッドシリコンカーバイド株式会社
  12. ジェネシック
  13. グローバルパワーテクノロジー
  14. ベーシック
  15. 揚州楊潔電子テクノロジー
  16. インベントチップ

最近の動向

インフィニオンテクノロジーズAGは、オーストリアのフィラッハにある製造拠点で、初の650V SiC-SBDの生産を開始したと2022年2月に発表しました。新しいSiC-SBDは、再生可能エネルギーシステムや電気自動車のパワーエレクトロニクスでの使用を目的としています。

STマイクロエレクトロニクスとSoitec(ユーロネクスト・パリ)は、2022年12月にシリコンカーバイド(SiC)基板に関する協力の次の段階を発表しました。STによるSoitecのSiC基板技術の認定は、今後18か月にわたって行われる予定です。STが今後の200mm基板製造にSoitecのSmartSiC技術を採用することは、同社のデバイスおよびモジュール製造事業の基盤となり、中期的には大量生産が見込まれています。この協調的な取り組みは、組織の財務状況の改善と世界的なSiCパワー半導体市場の発展に役立ちます。

SiC-SBD市場 Segmentations

タイプ別セグメント

  • 600V
  • 1200V

アプリケーション別セグメント

  • 新エネルギー車
  • 電源装置
  • 太陽光発電
  • 家電
  • 産業

購入特典

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