超低消費電力メモリ市場

市場概要

世界の超低電力メモリ市場規模は、予測期間中に約 18.1% の CAGRで成長すると予測されています。

バッテリー駆動およびエネルギー ハーベスティング システムの不揮発性要件に対して、超低電力メモリがソリューションを提供します。このデバイスは、読み取り/書き込み、電源オフ、およびデータ転送にできるだけ少ない電力を使用するように構築されています。ウェアラブル、自律、セキュリティ、マルチタスク、および IoT は、超低電力メモリの多くのアプリケーションのほんの一例です。他のメモリ デバイスと比較すると、超低電力メモリは 50 ～ 100 倍少ない電力でデータの読み取りと書き込みを行うことができます。これらのメモリ システムは、熱エネルギー、風力エネルギー、塩分勾配、および周囲の清掃などのエネルギー生成リソースに依存するエネルギー ハーベスティング アプリケーションに適しています。

2019年12月に中国の武漢で始まったCOVID-19の流行は、2020年3月現在、多くの感染者と死亡者が確認されており、急速に世界中に広がっています。現在、中国、イタリア、イラン、スペイン、韓国、フランス、ドイツ、米国などの国々に影響を及ぼしています。

この流行は、食品・飲料業界を含む世界中の多くの経済や産業に多大な影響を及ぼしており、現在、サプライチェーンの中断、主要イベントのキャンセル、オフィスの閉鎖など、大きな混乱に直面している。中国は世界の製造拠点であり、最大の原材料生産国であるにもかかわらず、パンデミックに関連した工場の閉鎖やサプライチェーンの課題により、ベーコン市場の衰退を引き起こしている。

市場の動向

市場の推進要因

超低電力メモリ市場の成長を牽引する主な理由は、民生用電子機器業界からの低電力メモリの需要の高まり、ビルおよびホームオートメーションシステムの使用の増加、IoTエコシステムの需要の高まりです。さらに、温度、圧力、速度、加速度などの現実世界の信号が、温度センサー、スマートメーター、リンクされたホームコンソールを介して収集され、デジタル信号に変換され、これらすべてが市場の拡大に貢献しています。

クラウド コンピューティングの普及に伴い、低コストで環境に優しいデータ センターの需要が高まります。超低電力メモリ技術を使用すると、データ センターの光熱費の負担が軽減され、施設の環境への配慮も向上します。

市場の制約

超低電力メモリ業界の拡大を阻む課題としては、多数のソリューションプロバイダーの存在によって生じる製品の設計の複雑さや、激しい競争などが挙げられます。

超低電力メモリ デバイスの使用は、市場で急速に普及しつつあります。しかし、メモリ デバイスの製造ユニットを設立するために必要な初期投資は、あまりにも高額です。この直接的な結果として、完成品の小売価格は上昇することになります。さらに、非商用の消費者は、既存のストレージ ソリューションの交換に加えて、新しいデバイスのインストールに資金を費やすことができません。

市場機会

デジタルカメラ、携帯電話、ノートパソコンなどの一般的な消費者向け電子機器に使用されている高価なシリコンチップよりも低コストでより多くのデータを保存できるようにすることで、新しい超低電力メモリ技術によりメモリの可能性が高まりました。

デジタルカメラ、スマートフォン、ゲームシステムなどのさまざまな民生用電子機器製品に対する効果的な超低電力メモリの要件の増加により、これらのメモリ技術の需要も増加すると予想されます。

新興経済国の大多数は、デジタル意識とデジタル化のレベルを高めることに注力しています。多くの国が、国家の課題の一環として、モノのインターネット (IoT) 技術を広範囲に活用することを優先課題としています。インテリジェントで接続されたデバイス システムの使用は、日常の活動の自動化を促進するため、モノのインターネットの取り組みを実践する上で最も重要な側面の 1 つです。このためには、さまざまな種類の超低電力メモリ デバイスが必要です。

超低電力メモリ市場は、強誘電体ランダム アクセス メモリ (FeRAM) や抵抗ランダム アクセス メモリ (ReRAM) などの不揮発性メモリ技術に移行しています。これらの技術は、低電力要件、高い耐久性、高速な読み取り/書き込み速度を備えているため、適応性に優れています。

同様に、IoT (モノのインターネット) デバイスのバッテリー寿命を延ばすには、より効率的な電子機器が必要です。超低電力メモリ チップのおかげで、これらのガジェットは電力消費をほとんどせずにマルチタスクを実行でき、充電間隔を長くして動作させることができます。

需要の増加と製造の発展は、超低電力メモリ市場の成長を意味します。たとえば、III-V 半導体などの最新の半導体材料と FinFET などの最先端の製造技術を使用すると、優れたパフォーマンスと低消費電力を備えた超低電力メモリデバイスを作成できます。

市場範囲

セグメント分析

タイプ別セグメント

• 電圧: 1V以上

1 ボルト以上の電圧を必要とする超低電力メモリ デバイスは、このカテゴリに分類されます。スマートフォンやタブレットなどのモバイル ガジェットでは、パフォーマンスが向上するため、これらのコンポーネントがよく使用されます。

• 電圧: 1V以下

動作に 1 ボルト未満しか必要としない超低電力メモリ デバイスは、このカテゴリに分類されます。ウェアラブル エレクトロニクス、モノのインターネット センサー、その他のバッテリー駆動型ガジェットは、こうした種類のテクノロジーが使用されている一般的な場所です。超低電圧メモリは、これらのデバイスが 1 回の充電でより長く動作できるようにするために使用されます。

アプリケーション別セグメント

• 家電

スマートフォン、タブレット、ウェアラブル テクノロジーはすべて、消費者向け電子機器市場の一部です。これらのガジェットは、超低電力メモリを使用してパフォーマンスを向上させ、バッテリー寿命を延ばします。

• 自動車機器

オーディオ プレーヤー、ナビゲーション システム、先進運転支援システム (ADAS) などの車載電子機器はすべて、自動車用ガジェット市場の一部です。これらのガジェットでは、電力使用量を削減し、信頼性を高めるために、超低電力メモリが採用されています。

• 産業機器

センサー、コントローラ、その他の自動化機器はすべて、この産業用デバイスのカテゴリに含まれます。環境とバッテリーへの影響を軽減するために、これらのガジェットは超低電力メモリを採用しています。

• 医療機器

ヘルスケア デバイスはこのカテゴリに分類され、患者モニターからポータブル医療機器、その他の医療機器まで、あらゆるものが含まれます。これらの機器では、電力使用量を削減し、信頼性を高めるために、超低電力メモリが採用されています。

地域分析

世界の超低電力メモリ市場は、北米、ヨーロッパ、アジア太平洋、ラテンアメリカ、中東およびアフリカの地域別に分割されています。

• 北米（米国およびカナダ）

多数の製造業者が存在し、エネルギー効率の高い製品に対する需要が大きいため、米国は超低電力メモリの地域最大の市場となっています。

• ヨーロッパ（ドイツ、イギリス、フランス、ロシア、イタリア、その他のヨーロッパ）

超低電力メモリのもう一つの重要な市場はヨーロッパです。この地域の市場は、エネルギー効率の高い技術の採用の増加と多数のメーカーの存在により拡大しました。

• アジア太平洋（中国、日本、韓国、インド、東南アジア、その他のアジア太平洋地域）

超低電力メモリの市場は、今後数年間でアジア太平洋地域で大幅に拡大すると予想されています。これは、同地域でエネルギー効率の高い技術の採用が拡大しているためです。

• 南米（メキシコ、ブラジル、その他の南米）

南米の超低電力メモリ業界は他の地域に比べるとまだ小さいですが、今後数年間で徐々に拡大すると予想されています。この発展は、IoT デバイスの需要拡大、よりエネルギー効率の高い技術の採用、この地域でのデータ処理スキル向上の必要性に起因しています。

• 中東およびアフリカ（サウジアラビア、UAE、エジプト、南アフリカ、その他の中東およびアフリカ）

この地域の市場は、IoT デバイスやスマートホームの利用の増加、およびエネルギー効率の高いガジェットの需要の高まりにより拡大すると予想されています。

主要人物

1. 半導体について
2. レンシーズ
3. マイクロチップテクノロジー株式会社
4. STマイクロエレクトロニクス
5. サイプレスセミコンダクタ株式会社
6. マクロニクスインターナショナル
7. アデストテクノロジーズ
8. 強誘電体メモリ会社

最近の動向

Everspin Technologies は、2021 年 4 月に 1Gb STT-MRAM (スピン トランスファー トルク磁気抵抗ランダム アクセス メモリ) をリリースし、産業および自動車分野をターゲットにしました。この低電力メモリ チップは、読み取りと書き込みの速度が極めて速く、過酷な条件下でも機能します。

メモリテクノロジー企業のクロスバー社は、2021年2月に人工知能（AI）で使用するための新しいReRAMベースのメモリテクノロジーを開発していることを明らかにしました。優れたパフォーマンスと低消費電力を備えたこの超低電力メモリチップは、エッジデバイスとデータセンターの両方での使用に最適です。

サムスン電子が開発し、28nm FDSOI（完全空乏型シリコンオンインシュレータ）プロセスに基づく新しい超低電力SRAM（スタティックランダムアクセスメモリ）技術が2021年1月に発表されました。この技術により、メーカーは電力をほとんど消費しない高速メモリデバイスを作成できるようになります。