글로벌 초저전력 메모리 시장 규모는 예측 기간 동안 약 18.1%의 CAGR 로 성장할 것으로 예상됩니다.
배터리 작동 및 에너지 수확 시스템의 비휘발성 요구 사항에 대해 초저전력 메모리는 솔루션을 제공합니다. 이 장치는 읽기/쓰기, 전원 끄기 및 데이터 전송에 가능한 한 적은 전력을 사용하도록 제작되었습니다. 웨어러블, 자율, 보안, 멀티태스킹 및 사물 인터넷은 초저전력 메모리의 많은 응용 분야 중 일부에 불과합니다. 다른 메모리 장치와 비교할 때 초저전력 메모리는 50~100배 적은 전력을 사용하면서 데이터를 읽고 쓸 수 있습니다. 이러한 메모리 시스템은 열 에너지, 풍력 에너지, 염도 기울기 및 주변 청소와 같은 에너지 생성 리소스에 의존하는 에너지 수확 응용 분야에 적합합니다.
2020년 3월 현재 많은 확진자와 사망자가 기록된 COVID-19 발병은 2019년 12월 우한(중국)에서 시작되어 전 세계로 빠르게 확산되었습니다. 현재 중국, 이탈리아, 이란, 스페인, 대한민국, 프랑스, 독일, 미국을 포함한 국가에 영향을 미치고 있습니다.
이번 발병은 전 세계의 많은 경제와 산업에 상당한 영향을 미쳤으며, 현재 공급망 중단, 주요 행사 취소, 사무실 폐쇄와 같은 상당한 혼란을 겪고 있는 식품 및 음료 부문도 포함됩니다. 팬데믹 관련 공장 폐쇄와 공급망 문제로 인해 중국이 세계 제조 허브이자 원자재 최대 생산국임에도 불구하고 베이컨 시장이 하락하고 있습니다.
가전 산업의 저전력 메모리에 대한 수요 증가, 빌딩 및 홈 자동화 시스템 사용 증가, IoT 생태계에 대한 수요 증가는 초저전력 메모리 시장 성장을 견인하는 주요 원인입니다. 또한 온도, 압력, 속도, 가속도와 같은 실제 신호는 온도 센서 , 스마트 미터, 연결된 홈 콘솔을 통해 수집되어 디지털 신호로 변환되며, 이 모든 것이 시장 확장에 기여합니다.
클라우드 컴퓨팅이 더 대중화됨에 따라 저렴하고 환경 친화적인 데이터 센터에 대한 수요가 더 커질 것입니다. 초저전력 메모리 기술을 사용하면 데이터 센터 공공 서비스 요금에 대한 부담을 줄이고 시설을 더 환경 친화적으로 만들 수 있습니다.
초저전력 메모리 산업의 확장을 방해하는 요인으로는 다수의 솔루션 공급업체가 참여함으로써 발생하는 복잡한 제품 설계, 극심한 경쟁 등을 들 수 있습니다.
초저전력 메모리 장치의 사용은 시장에서 빠르게 인기를 얻고 있습니다. 그럼에도 불구하고 메모리 장치의 제조 단위를 설립하는 데 필요한 초기 투자 비용이 너무 많이 듭니다. 완제품의 소매 가격은 이것의 직접적인 결과로 올라갈 것입니다. 게다가 비상업적 소비자는 기존 스토리지 솔루션을 교체하는 것 외에도 새로운 장치를 설치할 여유가 없습니다.
디지털 카메라, 휴대폰, 노트북 등 대중적인 가전제품에 사용되는 값비싼 실리콘 칩보다 더 낮은 비용으로 더 많은 데이터를 저장할 수 있게 되면서, 새로운 초저전력 메모리 기술이 메모리의 잠재력을 더욱 높였습니다.
디지털 카메라, 스마트폰, 게임 시스템 등 다양한 가전제품에 대한 효과적인 초저전력 메모리 요구 사항이 증가함에 따라 이러한 메모리 기술에 대한 수요도 증가할 것으로 예상됩니다.
신흥 경제의 대부분은 디지털 인식과 디지털화 수준을 높이는 데 주의를 기울이고 있습니다. 많은 국가가 사물 인터넷(IoT) 기술을 자국의 국가적 의제의 일부로 광범위하게 사용하는 것을 우선순위로 삼았습니다. 지능형 및 연결된 장치 시스템을 사용하는 것은 사물 인터넷 이니셔티브를 실행하는 데 가장 중요한 측면 중 하나이며, 일상 활동에서 자동화를 장려하기 때문입니다. 이를 위해 다양한 종류의 초저전력 메모리 장치가 필요합니다.
초저전력 메모리 시장은 Ferroelectric Random Access Memory(FeRAM) 및 Resistive Random Access Memory(ReRAM)와 같은 비휘발성 메모리 기술로 전환되고 있습니다. 이러한 기술의 낮은 전력 요구 사항, 높은 내구성 및 빠른 읽기/쓰기 속도는 이를 적응력 있게 만듭니다.
마찬가지로 IoT(사물인터넷) 기기의 배터리 수명이 길어지려면 더 효율적인 전자 제품이 필요합니다. 초저전력 메모리 칩 덕분에 이러한 가젯은 전력 소모가 거의 없이 멀티태스킹이 가능하여 충전 사이에 더 오래 작동할 수 있습니다.
수요 증가와 제조 발전은 초저전력 메모리 시장의 성장을 의미합니다. 예를 들어, III-V 반도체와 같은 최신 반도체 소재와 FinFET과 같은 최첨단 제조 기술을 사용하면 성능이 뛰어나고 전력 소모가 낮은 초저전력 메모리 장치를 만들 수 있습니다.
보고서 측정항목 | 세부정보 |
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2031년 시장규모 | 미화 XX백만/10억 |
2023년 시장규모 | 미화 XX백만/10억 |
2022년 시장규모 | 미화 XX백만/10억 |
역사적 데이터 | 2020-2022 |
기준 연도 | 2022 |
예측기간 | 2024-2032 |
신고 범위 | 수익 예측, 경쟁 환경, 성장 요인, 환경 및amp; 규제 현황 및 동향 |
포함된 세그먼트 |
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다루는 지역 |
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회사 프로필 |
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1볼트 이상의 전압이 필요한 초저전력 메모리 장치가 이 범주에 속합니다. 스마트폰과 태블릿과 같은 모바일 기기는 이러한 구성 요소를 사용하여 성능이 향상되는 경우가 많습니다.
작동에 1볼트 미만이 필요한 초저전력 메모리 장치가 이 범주에 속합니다. 웨어러블 전자 제품, 사물 인터넷 센서 및 기타 배터리로 작동하는 가젯은 이러한 종류의 기술이 작동하는 일반적인 장소입니다. 초저전압 메모리는 이러한 장치가 한 번 충전으로 더 오래 작동할 수 있도록 하는 데 사용됩니다.
스마트폰, 태블릿, 웨어러블 기술은 모두 가전제품 시장의 일부입니다. 이러한 가젯은 초저전력 메모리를 사용하여 성능을 높이고 배터리 수명을 연장합니다.
오디오 플레이어, 내비게이션 시스템, 첨단 운전자 지원 시스템(ADAS)과 같은 차량용 전자 장치는 모두 자동차 가젯 시장의 일부입니다. 이러한 가젯에는 초저전력 메모리가 사용되어 전력 사용을 줄이고 신뢰성을 높입니다.
센서, 컨트롤러 및 기타 자동화 장비는 모두 이 범주의 산업용 장치에 포함됩니다. 환경과 배터리에 미치는 영향을 줄이기 위해 이러한 가젯은 초저전력 메모리를 사용합니다.
의료 기기는 이 범주에 속하며, 환자 모니터부터 휴대용 의료 장비, 기타 수많은 의료 기기까지 다양합니다. 이러한 기기에는 초저전력 메모리가 사용되어 전력 사용량을 줄이고 신뢰성을 높입니다.
글로벌 초저전력 메모리 시장은 북미, 유럽, 아시아 태평양, 라틴 아메리카, 중동 및 아프리카 지역별로 구분됩니다.
수많은 생산자가 있고 에너지 효율적인 제품에 대한 수요가 크기 때문에 미국은 이 지역에서 초저전력 메모리에 대한 가장 큰 시장입니다 .
초저전력 메모리의 또 다른 중요한 시장은 유럽입니다. 이 지역의 시장은 에너지 효율적인 기술의 채택 증가와 수많은 생산자의 존재로 인해 확대되었습니다.
초저전력 메모리 시장은 향후 몇 년 동안 아시아 태평양 지역에서 상당히 확대될 것으로 예상됩니다. 이는 이 지역에서 에너지 효율적인 기술을 점점 더 많이 도입하고 있기 때문입니다.
남미의 초저전력 메모리 산업은 다른 지역에 비해 여전히 작지만, 향후 몇 년 동안 점진적으로 증가할 것으로 예상됩니다. 이러한 발전은 IoT 기기에 대한 수요 확대, 보다 에너지 효율적인 기술 도입, 해당 지역의 향상된 데이터 처리 기술에 대한 필요성 때문일 수 있습니다.
이 지역의 시장은 사물인터넷(IoT) 기기와 스마트 홈의 사용이 증가하고 에너지 효율적인 가젯에 대한 수요가 증가함에 따라 성장할 것으로 예상됩니다.
Everspin Technologies는 2021년 4월 1Gb STT-MRAM(Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory)을 출시하면서 산업 및 자동차 분야를 타겟으로 삼았습니다. 이 저전력 메모리 칩은 번개처럼 빠른 읽기 및 쓰기 속도를 제공하며 극한 조건에서도 작동할 수 있습니다.
메모리 기술 회사인 Crossbar Inc.는 2021년 2월에 인공지능(AI)에 사용할 새로운 ReRAM 기반 메모리 기술을 개발 중이라고 밝혔습니다. 뛰어난 성능과 낮은 전력 소모로 이 초저전력 메모리 칩은 에지 디바이스와 데이터 센터 모두에서 사용하기에 이상적입니다.
삼성전자가 개발한 28nm FDSOI(Fully Depleted Silicon-On-Insulator) 공정을 기반으로 한 새로운 초저전력 SRAM(Static Random Access Memory) 기술이 2021년 1월에 공개되었습니다. 이 기술을 사용하면 제조업체는 전력을 매우 적게 사용하는 고속 메모리 장치를 만들 수 있습니다.