Mercado de MOSFET de potencia de carburo de silicio

Descripción general del mercado

Se proyecta que el tamaño del mercado global de MOSFET de potencia de carburo de silicio registre una CAGR de aproximadamente 19,7% durante el período de pronóstico.

Se ha demostrado que los MOSFET fabricados con carburo de silicio (SiC) tienen un voltaje de bloqueo más alto, una resistencia en estado encendido más baja y una conductividad térmica más alta en comparación con sus contrapartes de silicio. Los MOSFET de SiC están diseñados y producidos de una manera que es sustancialmente idéntica a la de los MOSFET de silicio. El rendimiento mejorado se puede atribuir directamente a los beneficios materiales que son inherentes a la física del carburo de silicio. El MOSFET de Sic con modo de mejora de canal N ofrece una fuerte compatibilidad como sustituto de los MOSFET de silicio y los IGBT debido a su construcción sencilla, la facilidad con la que se puede diseñar y las pérdidas mínimas de accionamiento que incurre.

Dinámica del mercado

Factores impulsores del mercado

• Debido a su baja resistencia en estado encendido, los MOSFET de potencia de SiC son más eficientes que los dispositivos de potencia tradicionales basados en silicio, lo que reduce las pérdidas de energía y aumenta la efectividad del sistema.
• La demanda de MOSFET de potencia de SiC, que convierten eficazmente la energía de CC en energía de CA, ha aumentado como resultado del creciente interés en fuentes de energía renovables como la energía solar y eólica.
• La excelente eficiencia y el formato compacto de los MOSFET de potencia de SiC los hacen perfectos para su uso en vehículos eléctricos. La demanda de MOSFET de potencia de SiC está aumentando a la par de la demanda de vehículos eléctricos. Por otro lado, el aumento de la cantidad de aplicaciones contemporáneas que requieren dispositivos de potencia de SiC presenta un potencial de mercado rentable. Los inversores de tracción en vehículos eléctricos están sujetos a ciclos de temperatura y carga significativos en la industria automotriz. El SiC es perfecto para su uso en la industria de los autos eléctricos debido a su confiabilidad y eficiencia mejoradas, capacidad para funcionar a temperaturas más altas, tamaño reducido y capacidades de voltaje más altas.

Restricciones del mercado

• En los últimos años, varios países han modificado sus impuestos y gravámenes a las importaciones de productos electrónicos de consumo e instrumentos eléctricos, lo que repercute en las ventas.
• Debido a que actualmente son más caros que los dispositivos de potencia convencionales basados en silicio, los MOSFET de potencia de SiC pueden no tener un uso generalizado en todas las aplicaciones.

Oportunidades de mercado

• El mercado de MOSFET de potencia de SiC se está expandiendo como resultado de la creciente necesidad de electrónica de potencia en sectores que incluyen la electricidad alternativa, los vehículos eléctricos y la automatización industrial.
• Se prevé que los avances en las tecnologías de fabricación, como la impresión 3D y la automatización, reducirían el coste de producción de MOSFET de potencia de SiC.

Ámbito del mercado

Análisis segmentario

Segmentar por tipo

• Chip y dispositivo MOSFET Sic

En este segmento se incluyen los chips y componentes MOSFET de SiC individuales que se encuentran en una variedad de aplicaciones, incluidas las fuentes de alimentación , los generadores solares y los controladores de motores. En comparación con los dispositivos de alimentación basados en silicio convencionales, los chips y dispositivos MOSFET de SiC ofrecen una serie de ventajas, entre ellas, una mayor eficiencia, una tolerancia significativa a la temperatura y aspectos de forma más pequeños.

• Módulo MOSFET Sic

Los MOSFET de SiC, que forman parte de este sector, se integran en un módulo con otras piezas, como controladores de compuerta, circuitos de protección y sistemas de refrigeración. Las aplicaciones de alta potencia, como vehículos híbridos, generadores eólicos e inversores conectados a la red, utilizan con frecuencia módulos MOSFET de SiC.

Segmentar por aplicación

• Telecomunicaciones
• Automotor
• Electrónica de consumo
• Energía y servicios públicos
• Médico

Análisis regional

El mercado global de MOSFET de potencia de carburo de silicio está segmentado por región en América del Norte, Europa, Asia Pacífico, América Latina y Medio Oriente y África.

América del norte

Debido a la creciente popularidad de los coches eléctricos y a la creciente demanda de fuentes de energía renovables , se prevé que la industria norteamericana se expanda significativamente. Un mercado importante en esta área es Estados Unidos.

Europa

Debido a la creciente adopción de soluciones de energía renovable, se prevé que el mercado europeo experimente un crecimiento significativo.

Asia Pacífico

Debido a la creciente necesidad de soluciones de alta eficiencia y alta densidad de potencia en industrias que incluyen la automatización industrial, la electrónica de consumo y la movilidad eléctrica, se prevé que el área de Asia Pacífico tenga la tasa de crecimiento más rápida.

Sudamerica

Debido a la expansión del mercado de vehículos eléctricos y a la creciente demanda de fuentes de energía renovable, se prevé que el mercado de MOSFET de potencia de SiC en América del Sur se expanda rápidamente. Brasil es un mercado importante en esta área debido al apoyo del gobierno a las iniciativas de energía renovable y a la creciente cantidad de dinero que se invierte en proyectos de automóviles eléctricos.

Oriente Medio y África

Debido a sus iniciativas para aumentar la proporción de energía renovable en su combinación energética, se prevé que países como Sudáfrica y los Emiratos Árabes Unidos sean mercados importantes en esta región.

Actores clave

1. STMicroelectrónica
2. Tecnologías Infineon AG
3. Semiconductores ROHM
4. Semiconductores GeneSiC Inc.
5. CREE Inc. (Wolfspeed)
6. En semiconductores
7. Tecnología de microchip
8. Corporación IXYS
9. Fusible pequeño
10. Toshiba
11. Mitsubishi Eléctrico
12. Imperio

Acontecimientos recientes

Infineon Technologies AG declaró en marzo de 2023 que la incorporación de un nuevo módulo MOSFET CoolSiC de 1200 V ha aumentado la selección de MOSFET de SiC de la empresa. El módulo está destinado a utilizarse en dispositivos de alta potencia, incluidos inversores conectados a la red, turbinas eólicas y automóviles eléctricos.