Si prevede che il mercato globale dei MOSFET di potenza al carburo di silicio registrerà un CAGR di circa il 19,7% durante il periodo di previsione.
È stato dimostrato che i MOSFET realizzati in carburo di silicio (SiC) hanno una tensione di blocco più elevata, una resistenza di stato attivo più bassa e una conduttività termica più elevata rispetto alle loro controparti in silicio. I MOSFET SiC sono progettati e prodotti in un modo sostanzialmente identico a quello dei MOSFET in silicio. Le prestazioni migliorate possono essere direttamente attribuite ai vantaggi del materiale che sono intrinseci nella fisica del carburo di silicio. Il MOSFET Sic in modalità di potenziamento a canale N offre una forte compatibilità come sostituto dei MOSFET e degli IGBT in silicio grazie alla sua costruzione semplice, alla facilità con cui può essere progettato e alle minime perdite di pilotaggio che subisce.
Metrica del rapporto | Dettagli |
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Dimensione del mercato entro il 2031 | XX milioni/miliardi di dollari |
Dimensione del mercato nel 2023 | XX milioni/miliardi di dollari |
Dimensione del mercato nel 2022 | XX milioni/miliardi di dollari |
Dati storici | 2020-2022 |
Anno base | 2022 |
Periodo di previsione | 2024-2032 |
Copertura del rapporto | Previsioni dei ricavi, panorama competitivo, fattori di crescita, ambiente e opportunità di crescita. Panorama normativo e tendenze |
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I singoli chip e componenti MOSFET SiC che si trovano in una varietà di applicazioni, tra cui alimentatori , generatori solari e controller di motori, sono inclusi in questo segmento. Rispetto ai dispositivi di potenza convenzionali basati su silicio, i chip e i dispositivi MOSFET SiC offrono una serie di vantaggi, tra cui maggiore efficienza, significativa tolleranza alla temperatura e aspetti di forma più piccoli.
Integrati in un modulo con altre parti, tra cui driver di gate, circuiti di protezione e sistemi di raffreddamento, ci sono i MOSFET SiC, che fanno parte di questo settore. Le applicazioni ad alta potenza, tra cui veicoli ibridi, generatori eolici e inverter collegati alla rete, utilizzano spesso moduli MOSFET SiC.
Il mercato globale dei MOSFET di potenza al carburo di silicio è suddiviso in segmenti regionali: Nord America, Europa, Asia Pacifico, America Latina, Medio Oriente e Africa.
A causa della crescente popolarità delle auto elettriche e della crescente domanda di fonti di energia rinnovabili , si prevede che l'industria nordamericana si espanderà in modo significativo. Un mercato significativo in quest'area sono gli Stati Uniti.
Grazie alla crescente adozione di soluzioni basate sulle energie rinnovabili, si prevede che il mercato europeo registrerà una crescita significativa.
A causa della crescente necessità di soluzioni ad alta efficienza e ad alta densità di potenza in settori quali l'automazione industriale, l'elettronica di consumo e la mobilità elettrica, si prevede che l'area Asia-Pacifico avrà il tasso di crescita più rapido.
A causa dell'espansione del mercato dei veicoli elettrici e della crescente domanda di fonti di energia rinnovabili, si prevede che il mercato dei MOSFET di potenza SiC in Sud America si espanderà rapidamente. Il Brasile è un mercato significativo in quest'area a causa del supporto del governo alle iniziative di energia rinnovabile e della crescente quantità di denaro investita nei progetti di auto elettriche.
Grazie alle iniziative volte ad aumentare la quota di energie rinnovabili nel loro mix energetico, si prevede che nazioni come il Sudafrica e gli Emirati Arabi Uniti diventeranno mercati importanti in questa regione.
Infineon Technologies AG ha dichiarato a marzo 2023 che l'aggiunta di un nuovo modulo MOSFET CoolSiC da 1200 V ha aumentato la selezione di MOSFET SiC dell'azienda. Il modulo è destinato all'uso in dispositivi ad alta potenza, tra cui inverter collegati alla rete, turbine eoliche e auto elettriche.
"Trova nuove opportunità di generazione di entrate"